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“從專利的角度是最容易把人類芯片發(fā)展歷程理清楚,因?yàn)樵谛酒陌l(fā)展歷程中,幾乎每一項(xiàng)基礎(chǔ)專利都是一個(gè)諾貝爾獎(jiǎng),同時(shí)也是一家公司甚至一個(gè)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)?!?br/>
來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)
作者:佑斌
最近,OPPO突然關(guān)停旗下的芯片公司哲庫,日本出臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備的管制措施,在國(guó)內(nèi)外引起了廣泛討論。芯片產(chǎn)業(yè)非常特殊,芯片是數(shù)據(jù)和計(jì)算的載體,現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)中所有涉及到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的設(shè)備幾乎都會(huì)用到芯片,芯片某種程度上是人類第三次科技革命的基礎(chǔ)設(shè)施。正是因?yàn)槎?zhàn)后芯片的發(fā)明和進(jìn)步,才觸發(fā)和推動(dòng)了第三次科技革命,讓人類進(jìn)入數(shù)字化和網(wǎng)絡(luò)化的時(shí)代。
芯片從上世紀(jì)50年代發(fā)明以來,一直以后都是工業(yè)革命的基礎(chǔ)設(shè)施,已經(jīng)發(fā)展60多年了,人類在這半個(gè)多世紀(jì)取得的進(jìn)步超過以往任何時(shí)代,最大的原因就是芯片算力的飛速增強(qiáng)。在可預(yù)見的未來,人類的進(jìn)步依然依靠算力的進(jìn)步,人工智能的發(fā)展也從側(cè)面印證了這一點(diǎn)。
芯片是如此重要,這就決定著未來人類依然會(huì)把最強(qiáng)的資源投入到芯片的研發(fā)和制造中,不斷提高芯片的算力,減少芯片制造的成本。
關(guān)于如何發(fā)展中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè),產(chǎn)業(yè)界的討論很多。但筆者想從專利的角度談一下。既然要自主創(chuàng)新,了解下芯片的技術(shù)發(fā)展脈絡(luò)和創(chuàng)新的過程肯定是有幫助的。從專利的角度是最容易把人類芯片發(fā)展歷程理清楚,因?yàn)樵谛酒陌l(fā)展歷程中,幾乎每一項(xiàng)基礎(chǔ)專利都是一個(gè)諾貝爾獎(jiǎng),同時(shí)也是一家公司甚至一個(gè)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。這些專利都是芯片巨頭的源頭。我們順著這條線可以看到芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向,然后再從專利的角度分析下我們的芯片產(chǎn)業(yè)方向,或許有一些價(jià)值。
1948年6月26日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利申請(qǐng)了改進(jìn)的晶體管的專利,專利號(hào)為US2569347,題目為“使用半導(dǎo)體材料的電路原件”,晶體管是芯片的基本元素,正是肖克利的這件專利拉開了芯片發(fā)明的序幕。這件專利1951年9月25日獲得授權(quán)。這件專利價(jià)值連城,后來迫于反壟斷的壓力,以25000美元的專利許可費(fèi)許可多家公司。
肖克利的晶體管專利
1949年4月14日,德國(guó)的維爾納·雅各比申請(qǐng)了半導(dǎo)體放大器專利,采用多個(gè)晶體管連接形成放大器,用來代替電子管放大器。
芯片原型專利
這件專利的構(gòu)思非常簡(jiǎn)單,但多次入選20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一,可以說這件專利是芯片最早的原型。
1954年12月24日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的Lincoln Derick申請(qǐng)了第一件二氧化硅薄膜專利,發(fā)明名稱為“硅裝置的制造”,這是最早的芯片材料專利。
第一項(xiàng)二氧化硅薄膜專利
1957年10月31日,美國(guó)的Jay Lathrop和James Nall申請(qǐng)了第一件光刻機(jī)專利,發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體制造”,專利號(hào)為US2890395。
第一項(xiàng)光刻機(jī)專利
1959年2月6日,德州儀器的基爾比申請(qǐng)了一件名為“小型化電路”的專利,專利號(hào)為US3138743,在權(quán)利要求中提出了集成電路的概念,如下:
1.在單晶半導(dǎo)體材料晶圓中具有多個(gè)電路組件的集成電路中,在晶圓中定義的多個(gè)結(jié)型晶體管均在其中,每個(gè)導(dǎo)體都包含導(dǎo)電體,這是由導(dǎo)體類型的導(dǎo)體層組成的在提供覆蓋集合體區(qū)域的基礎(chǔ)和發(fā)射區(qū)域的晶片中,每個(gè)SAD晶體管的基極-發(fā)射體和基體連接都延伸到所說的一個(gè)主要面上,在整個(gè)區(qū)域中很長(zhǎng)的一段為了提供半導(dǎo)體電阻器,將長(zhǎng)區(qū)域設(shè)置在與晶體管相同的一個(gè)主要面上,并且將長(zhǎng)區(qū)域的選定區(qū)域連接到選定的晶體管區(qū)域。
基爾比的芯片專利
1959年7月30日,仙童半導(dǎo)體的諾伊斯也幾乎同時(shí)申請(qǐng)了集成電路的專利,專利號(hào)為US2981877A,題目為“半導(dǎo)體器件和引線結(jié)構(gòu)”,權(quán)利要求為:
1. 半導(dǎo)體電路裝置,在單晶 p 型硅半導(dǎo)體主體中,具有至少兩個(gè)帶 pn 結(jié)的半導(dǎo)體電路元件,其邊緣區(qū)域位于半導(dǎo)體主體表面的同一側(cè),并且在至少兩個(gè)電路元件的p區(qū)和η區(qū)通過線連接,線的末端連接到某些p和η區(qū)的歐姆接觸,其特征在于,15a)半導(dǎo)體本體的表面?zhèn)仁瞧教沟牟⑶冶话雽?dǎo)體材料的氧化物層覆蓋,b) 用于形成區(qū)域接觸的那部分氧化層已被去除,c) 去除通過接觸橋接的半導(dǎo)體本體表面上 pn 結(jié)邊緣區(qū)域部分上的氧化層,d) 線路排列在半導(dǎo)體材料的氧化物層上并粘附在其上,e) 并且半導(dǎo)體本體的另一表面?zhèn)龋ㄆ渖蠜]有pn結(jié)的邊緣區(qū)域)覆蓋有金屬層,該金屬層用作電路裝置的公共連接。
諾伊斯的芯片專利
后來諾伊斯所在的仙童半導(dǎo)體和基爾比所在的德州儀器進(jìn)行多年的專利大戰(zhàn),爭(zhēng)奪芯片的專利權(quán)。1969年,美國(guó)法院裁定芯片的發(fā)明權(quán)屬于二人,雙方的權(quán)利要求沒有重疊,都是芯片的重要部分,共同成為芯片的發(fā)明者。隨后,德州儀器和仙童半導(dǎo)體進(jìn)行了交叉許可。
至此,真正的現(xiàn)代芯片產(chǎn)生,幾乎這里的每個(gè)專利都是諾獎(jiǎng)級(jí)別,每個(gè)專利都是一項(xiàng)諾貝爾獎(jiǎng),直接推動(dòng)了第三次科技革命的誕生。
德州儀器和仙童半導(dǎo)體也是最早的芯片廠家,但是這時(shí)候的芯片市場(chǎng)還是非常有限,此后很多科學(xué)家在此基礎(chǔ)不斷優(yōu)化,芯片的性能不斷提升,涉及的行業(yè)范圍也逐漸擴(kuò)大,向產(chǎn)業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域開始滲透。
1960年5月31日,美籍華人科學(xué)家發(fā)明薩支唐申請(qǐng)了場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利,發(fā)明名稱為“電場(chǎng)控制的半導(dǎo)體裝置”,專利號(hào)為US3102230,權(quán)利要求為:
1.結(jié)合起來的半導(dǎo)體晶圓,至少包括一個(gè)導(dǎo)電類型的第一和第三區(qū)域,該區(qū)域由相反的導(dǎo)電類型的第二區(qū)域分開,并分別定義了第二和第二PN結(jié),第一和第二個(gè)PN結(jié)晶圓中,在最主要的主要表面上覆蓋有一層電介質(zhì),用于表示沿所述第一和第二PN結(jié)施加電壓,是一種用于沿整個(gè)電場(chǎng)施加電場(chǎng)的方法,用于既包含所述介電層,又包含所述半導(dǎo)電層電場(chǎng)特別地被表征為響應(yīng)于所述第一PN結(jié)和第二PN結(jié)之間的電壓變化。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管專利
1967年7月14日,MIT的Robert和IBM的Watson申請(qǐng)了一件名稱為“場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器”的專利,專利號(hào)為US3387286。這是存儲(chǔ)芯片DRAM的第一件專利,但是在產(chǎn)業(yè)化中英特爾公司后來居上,打開了存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)。
DRAM的基礎(chǔ)專利
1970年2月16日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的Boyle和Smith申請(qǐng)了一件發(fā)明名稱為“信息存儲(chǔ)裝置”的專利,專利號(hào)為US3858232,這是CCD芯片的基礎(chǔ)專利,通過將電荷轉(zhuǎn)移到輸出級(jí),通過連續(xù)讀出每條光柵線獲得圖像,開啟了圖像處理芯片的新紀(jì)元。
第一項(xiàng)CCD專利
1971年5月16日,貝爾實(shí)驗(yàn)室的Tompsett申請(qǐng)了發(fā)明名稱為“電荷轉(zhuǎn)移圖像裝置”,專利號(hào)為US4085456,很多人認(rèn)為這件專利與CCD的產(chǎn)業(yè)更相關(guān)。但是諾貝爾獎(jiǎng)授予了前者。
CCD基礎(chǔ)專利
英特爾公司很快在存儲(chǔ)芯片方面被日本企業(yè)趕超,最后不得不關(guān)停了存儲(chǔ)芯片的項(xiàng)目,專攻微處理器芯片。
1973年1月22日,英特爾公司的霍夫申請(qǐng)了一件名稱為“用于多芯片數(shù)字計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)”,專利號(hào)為3821715,這是第一件CPU專利,主要內(nèi)容為“一種通用數(shù)字計(jì)算機(jī),包括多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)芯片。用作計(jì)算機(jī)一部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)與公共雙向數(shù)據(jù)總線耦合到中央處理單元(CPU),每個(gè)存儲(chǔ)器都包括解碼電路,以確定哪個(gè)CPU正在對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行尋址。使用安裝在標(biāo)準(zhǔn)16針雙列直插式包裝上的芯片制造計(jì)算機(jī),從而可以向計(jì)算機(jī)中添加其他內(nèi)存芯片?!?br/>
英特爾的第一項(xiàng)CPU專利
微處理芯片的發(fā)明和產(chǎn)業(yè)化是科技革命的里程碑事件。(未完待續(xù))
(原標(biāo)題:芯片專利史)
來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)
作者:佑斌
編輯:IPRdaily趙甄 校對(duì):IPRdaily縱橫君
注:原文鏈接:芯片專利史(一)(點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文)
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