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《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》發(fā)布!氮化鎵正在改變世界 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁

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知聯(lián)社4年前
《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》發(fā)布!氮化鎵正在改變世界 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁

《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》發(fā)布!氮化鎵正在改變世界 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁

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原標(biāo)題:《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》發(fā)布,氮化鎵正在改變世界 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁


近日,智慧芽旗下智慧芽創(chuàng)新研究中心最新發(fā)布《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》,從技術(shù)角度全面洞察分析了氮化鎵這一產(chǎn)業(yè)的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來(lái)突破。


越來(lái)越多的人在使用手機(jī)快充充電器的時(shí)候可能不經(jīng)意間會(huì)發(fā)現(xiàn)氮化鎵(GaN)這個(gè)專(zhuān)業(yè)名詞,實(shí)際上,正是“氮化鎵”這一第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)突破,讓第三代半導(dǎo)體能實(shí)現(xiàn)更多的場(chǎng)景應(yīng)用,例如氮化鎵電子器件具有高頻、高轉(zhuǎn)換效率、高擊穿電壓等特性,讓微顯示、手機(jī)快充、氮化鎵汽車(chē)等有了無(wú)限可能。


12月28日,智慧芽旗下智慧芽創(chuàng)新研究中心最新發(fā)布《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“報(bào)告”),從技術(shù)角度全面洞察分析了氮化鎵這一產(chǎn)業(yè)的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來(lái)突破。


報(bào)告顯示,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相對(duì)聚焦中游,中國(guó)企業(yè)紛紛入場(chǎng)。全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請(qǐng)16萬(wàn)多件專(zhuān)利,有效專(zhuān)利6萬(wàn)多件。其中,保護(hù)類(lèi)型以發(fā)明專(zhuān)利為主,行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新度比較高。報(bào)告指出,該領(lǐng)域中美日技術(shù)實(shí)力較強(qiáng),中美日市場(chǎng)較熱。


在報(bào)告展示的氮化鎵技術(shù)的日常應(yīng)用場(chǎng)景中,豐田與日本名古屋大學(xué)合作開(kāi)發(fā)“全氮化鎵汽車(chē)”,且目前寶馬也已經(jīng)加入氮化鎵汽車(chē)應(yīng)用這一陣營(yíng);與此同時(shí),氮化鎵快充走進(jìn)日常生活,華為氮化鎵快充充電器面市,擁有大功率、超級(jí)快充、輕巧便捷的特點(diǎn),支持手機(jī)、平板、PC電腦等設(shè)備充電。


一、氮化鎵產(chǎn)業(yè)初步形成


氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成,相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。


氮化鎵應(yīng)用范圍廣泛,作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,其下游應(yīng)用切中了 “新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領(lǐng)域。此外,氮化鎵的高效電能轉(zhuǎn)換特性,能夠幫助實(shí)現(xiàn)光伏、風(fēng)電(電能生產(chǎn)),直流特高壓輸電(電能傳輸),新能源汽車(chē)、工業(yè)電源、機(jī)車(chē)牽引、消費(fèi)電源(電能使用)等領(lǐng)域的電能高效轉(zhuǎn)換,助力“碳達(dá)峰,碳中和”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。


從產(chǎn)業(yè)發(fā)展來(lái)看,全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)規(guī)模呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)分析機(jī)構(gòu)Yole研究顯示,在氮化鎵功率器件方面,2020年的整體市場(chǎng)規(guī)模為0.46億美元,受消費(fèi)類(lèi)電子、電信及數(shù)據(jù)通信、電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng),預(yù)計(jì)到2026年增長(zhǎng)至11億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率為70%。值得一提的是,電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)185%。在氮化鎵射頻器件方面,2020年的整體市場(chǎng)規(guī)模為8.91億美元,預(yù)計(jì)到2026年增長(zhǎng)至24億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率為18%。


從產(chǎn)業(yè)鏈看,國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈已基本形成,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相對(duì)聚焦中游(如圖1),中國(guó)企業(yè)紛紛入場(chǎng),主要代表企業(yè)分布在全國(guó)各地(如圖2)。


《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》發(fā)布!氮化鎵正在改變世界 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁

圖1:全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈圖譜(來(lái)源:智慧芽整理)

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圖2:中國(guó)氮化鎵企業(yè)及代表性業(yè)務(wù)(來(lái)源:CASA Research,智慧芽整理)

 

二、中國(guó)在氮化鎵技術(shù)上起步雖晚發(fā)力強(qiáng)勁


智慧芽數(shù)據(jù)顯示,全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請(qǐng)16萬(wàn)多件專(zhuān)利,有效專(zhuān)利6萬(wàn)多件(如圖3)。其中,保護(hù)類(lèi)型以發(fā)明專(zhuān)利為主,行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新度比較高。報(bào)告指出,該領(lǐng)域美日技術(shù)實(shí)力較強(qiáng),中美日市場(chǎng)較熱。

 

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圖3:全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)專(zhuān)利申請(qǐng)情況(數(shù)據(jù):智慧芽)

 

從技術(shù)發(fā)展的歷史演進(jìn)來(lái)看,20世紀(jì)70年代初出現(xiàn)氮化鎵相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng),1994年之前尚處于探索階段,參與企業(yè)較少;1994-2005年進(jìn)入快速發(fā)展期,主要驅(qū)動(dòng)力是LED照明商用化;2010年開(kāi)始,日本住友、日立等對(duì)氮化鎵襯底大尺寸的突破和進(jìn)一步產(chǎn)品化,促進(jìn)了相關(guān)專(zhuān)利量的進(jìn)一步快速增長(zhǎng);自2014年起,專(zhuān)利申請(qǐng)量總體趨于穩(wěn)步發(fā)展態(tài)勢(shì),年專(zhuān)利申請(qǐng)量基本維持在9000件以上,在這段時(shí)期,可見(jiàn)光LED熱度減退,GaN基FET器件、功率/射頻器件、MicroLED等器件熱度上升。


從氮化鎵領(lǐng)域全球技術(shù)布局來(lái)看,中國(guó)、美國(guó)和日本為氮化鎵技術(shù)熱點(diǎn)布局的市場(chǎng)。其中,美國(guó)和日本起步較早,起步于20世紀(jì)70年代初,而中國(guó)起步雖晚,但后起發(fā)力強(qiáng)勁(如圖4)。值得注意的是,目前全球的氮化鎵技術(shù)主要來(lái)源于日本。


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圖4:中、美、日氮化鎵技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)圖(數(shù)據(jù):智慧芽)


三、國(guó)內(nèi)外龍頭企業(yè)技術(shù)洞察對(duì)比


報(bào)告顯示,全球氮化鎵主要?jiǎng)?chuàng)新主體的龍頭主要集中于日本。氮化鎵產(chǎn)業(yè)國(guó)外重點(diǎn)企業(yè)包括日本住友、美國(guó)Cree、德國(guó)英飛凌、韓國(guó)LG、三星等(如圖5),中國(guó)企業(yè)代表有,晶元光電、三安光電、臺(tái)積電、華燦光電等(如圖6)。但目前中國(guó)企業(yè)和國(guó)外企業(yè)相比,專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量仍有一定差距。

 

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圖5:氮化鎵領(lǐng)域國(guó)外企業(yè)代表(來(lái)源:智慧芽)


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圖6:氮化鎵領(lǐng)域中國(guó)企業(yè)代表(來(lái)源:智慧芽)


在這些企業(yè)中,日本住友全球率先量產(chǎn)氮化鎵襯底,是全球氮化鎵射頻器件主要供應(yīng)商,同時(shí)也是華為GaN射頻器件主要供應(yīng)商之一。住友聚焦于襯底和器件方面的研究,其中,器件方面近幾年側(cè)重于氮化鎵FET器件。該公司的氮化鎵襯底單晶生長(zhǎng)技術(shù)側(cè)重HVPE法,重點(diǎn)解決襯底缺陷、尺寸等難題。此外,住友在氮化鎵FET器件上,側(cè)重外延工藝和芯片工藝突破。


美國(guó)Cree依靠其技術(shù)儲(chǔ)備支撐氮化鎵功率器件的市場(chǎng)化。2019年,Cree逐步剝離LED業(yè)務(wù),專(zhuān)注于碳化硅電力電子器件和用于GaN射頻器件,并于2021年正式更名為Wolfspeed(原Cree旗下的功率&射頻部門(mén))。在技術(shù)分布上,發(fā)光二極管LED和GaN基FET器件兩大方向是Cree重要的專(zhuān)利布局領(lǐng)域。其中,前者的研發(fā)熱度在近幾年明顯衰退,而Cree在后者的細(xì)分領(lǐng)域中則探索了較多的技術(shù)難題,注重器件多性能發(fā)展。


德國(guó)英飛凌持續(xù)深耕功率器件領(lǐng)域,且重點(diǎn)關(guān)注美國(guó)市場(chǎng)。其前身作為西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),英飛凌主要生產(chǎn)IGBT、功率MOSFET、HEMT、DC-DC轉(zhuǎn)換器、柵極驅(qū)動(dòng)IC、AC-DC電源轉(zhuǎn)換器等功率半導(dǎo)體器件,曾連續(xù)10年居全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)之首。在氮化鎵領(lǐng)域,英飛凌的技術(shù)分布于集中產(chǎn)業(yè)鏈中游——器件模組,持續(xù)關(guān)注GaN基FET、IGBT等功率元器件,以及由多個(gè)功率元器件集成的功率模塊(如電源轉(zhuǎn)換器)的研發(fā)。總體而言,英飛凌在功率模塊、GaN基FET器件上布局的專(zhuān)利最多。


國(guó)內(nèi)LED龍頭“三安光電”在氮化鎵領(lǐng)域有一定技術(shù)儲(chǔ)備。三安光電是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的LED外延片、芯片企業(yè)。2014年,該公司投資建設(shè)氮化鎵高功率半導(dǎo)體項(xiàng)目;2018年,在福建泉州斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器等產(chǎn)業(yè)。在氮化鎵領(lǐng)域,三安光電同樣集中于產(chǎn)業(yè)鏈中游——器件模組的研究。其布局的器件類(lèi)型主要包括可見(jiàn)光LED、紫外LED、Micro/Mini LED和GaN基FET。2016年后,三安光電對(duì)可見(jiàn)光LED的專(zhuān)利申請(qǐng)量逐漸下降,并開(kāi)始增加對(duì)Micro/Mini LED、GaN基FET的專(zhuān)利申請(qǐng)。


四、氮化鎵三大重點(diǎn)技術(shù)解析


首先,GaN襯底技術(shù)是器件降本的突破口,當(dāng)前正從小批量規(guī)模向產(chǎn)業(yè)商業(yè)化方向發(fā)展,同時(shí)向大尺寸和高晶體質(zhì)量方向發(fā)展。GaN單晶襯底以2-3英寸為主,4英寸已實(shí)現(xiàn)商用,6英寸已實(shí)現(xiàn)樣本開(kāi)發(fā);GaN異質(zhì)外延襯底則已實(shí)現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化,8英寸正在進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)。


全球GaN襯底技術(shù)共有13000多件專(zhuān)利,其中有效專(zhuān)利量4800多件,占比為35.2%。其中,審中專(zhuān)利占比較少,可見(jiàn)未來(lái)有效專(zhuān)利增長(zhǎng)空間較小。此外,日本和美國(guó)兩大市場(chǎng)分布的專(zhuān)利較多。全球襯底技術(shù)排名靠前的專(zhuān)利申請(qǐng)人以日本企業(yè)居多,整體技術(shù)實(shí)力較強(qiáng),且日本住友在襯底領(lǐng)域技術(shù)儲(chǔ)備占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。


第二,在氮化鎵基FET器件技術(shù)的應(yīng)用中,車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)入新紀(jì)元,其市場(chǎng)規(guī)模不斷升高。在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域,目前EPC和Transphorm已經(jīng)通過(guò)了車(chē)規(guī)認(rèn)證。與此同時(shí),BMW i Ventures對(duì)GaN Systems公司的投資,表明了汽車(chē)行業(yè)越來(lái)越認(rèn)可和重視GaN功率器件解決方案應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)及混合動(dòng)力汽車(chē)(EV/HEV)。


整體上,氮化鎵基FET器件正在向多單元模塊化發(fā)展。在這一領(lǐng)域中,美國(guó)、日本和中國(guó)為GaN基FET器件熱點(diǎn)布局的市場(chǎng),其中重點(diǎn)為美國(guó)市場(chǎng)。自2000年起,該技術(shù)領(lǐng)域開(kāi)始快速發(fā)展,且到2010年后,發(fā)展速度進(jìn)一步加快。頭部企業(yè)中,日本企業(yè)仍占據(jù)大多數(shù),且美國(guó)Cree和英特爾也占有一定的優(yōu)勢(shì)。


第三,Micro LED應(yīng)用場(chǎng)景廣泛涵蓋微顯示和數(shù)字終端領(lǐng)域,未來(lái)可期??纱┐髟O(shè)備以及超大屏顯示將于2021年進(jìn)入市場(chǎng)。據(jù)分析機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),至2025年產(chǎn)業(yè)鏈成熟后,或?qū)⑦_(dá)到3.3億臺(tái)的出貨量。


Micro LED顯示技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是自發(fā)光、低功耗、高亮度、超高分辨率、小尺寸和高色彩飽和度,十分符合顯示屏領(lǐng)域輕薄化、小型化、低功耗、高亮度的發(fā)展方向。因此,高反應(yīng)速度的Micro LED是現(xiàn)今非常熱門(mén)的新一代顯示概念,將成為L(zhǎng)ED未來(lái)的發(fā)展方向。


在Micro LED領(lǐng)域,巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是該領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)。Micro/Mini LED技術(shù)在近5年處于高速發(fā)展期,中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)與全球總體一致,并且近5年的發(fā)展勢(shì)頭迅猛,全球領(lǐng)先。在這一技術(shù)的全球主要專(zhuān)利申請(qǐng)人中,F(xiàn)acebook和蘋(píng)果公司分別位列第一、第二,國(guó)內(nèi)企業(yè)如京東方、歌爾股份、三安光電等也都名列前茅。


此外,智慧芽推出的氮化鎵(GaN)專(zhuān)利情報(bào)監(jiān)控分析成果已落地形成IT平臺(tái)系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)日常更新、監(jiān)控和查閱,確保分析結(jié)果持續(xù)為行業(yè)研發(fā)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)情報(bào)管理發(fā)揮價(jià)值。

 

來(lái)源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)

編輯:IPRdaily王穎          校對(duì):IPRdaily縱橫君


注:原文鏈接《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》發(fā)布!氮化鎵正在改變世界 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文)

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