中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

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作者：黃鶯企業(yè)專(zhuān)利觀察

原標(biāo)題：中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

2018年2月，中科院微電子所向行業(yè)大佬Intel打出了中國(guó)集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向海外巨頭專(zhuān)利維權(quán)的第一槍。指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，要求賠償至少2億元，同時(shí)請(qǐng)求法院對(duì)“酷?！碑a(chǎn)品實(shí)施禁售。11月4日，在Intel對(duì)中科院微電子所的這件中國(guó)專(zhuān)利ZL201110240931.5發(fā)起的第二次無(wú)效請(qǐng)求中，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局支持了Intel提交的新證據(jù)和理由，最終裁定該專(zhuān)利權(quán)利要求8、10、14無(wú)效。但這并不是終審結(jié)果，中科院微電子所還可以提起繼續(xù)上訴，來(lái)“奪回”這一關(guān)鍵專(zhuān)利。

中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

FinFET技術(shù)在半導(dǎo)體制程發(fā)展到22nm~5nm時(shí)發(fā)揮了重要的作用。這項(xiàng)技術(shù)最早是由加州大學(xué)伯克利分校的胡正明在1999年提出來(lái)的，他也因此被稱(chēng)為“FinFET之父”。

另一位半導(dǎo)體界的風(fēng)云人物——梁孟松，在美國(guó)就讀期間，導(dǎo)師正是胡正明。

梁孟松后來(lái)輾轉(zhuǎn)于臺(tái)積電、三星和中芯國(guó)際。在他任職期間，臺(tái)積電與三星紛紛押注自主研發(fā)，通過(guò)“砸錢(qián)”慢慢地拉開(kāi)了與各自“師傅”（Intel和IBM）的距離，形成了獨(dú)立的發(fā)展模式，也奠定了當(dāng)今集成電路制造產(chǎn)業(yè)的全球格局。

臺(tái)積電和三星都將發(fā)展FinFET作為過(guò)去十年競(jìng)爭(zhēng)的利器。但實(shí)際上，行業(yè)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)FinFET商業(yè)化應(yīng)用的卻是Intel公司。2011年，Intel宣布FinFET量產(chǎn)計(jì)劃。第二年，在Intel推出的酷睿系列產(chǎn)品就采用了FinFET工藝。

Intel在半導(dǎo)體制造核心技術(shù)上已經(jīng)引領(lǐng)世界幾十年，研發(fā)投入也遠(yuǎn)超臺(tái)積電。在技術(shù)模仿鏈上，臺(tái)積電一直在追隨Intel，中芯國(guó)際則在追隨臺(tái)積電。

01、打向巨頭的第一槍

華為在通信領(lǐng)域用專(zhuān)利深耕了二十多年，才達(dá)到與國(guó)外巨頭平起平坐的水平。

在集成電路加工制造領(lǐng)域，中國(guó)大陸幾十年來(lái)一直處在追趕者的角色。

但誰(shuí)也沒(méi)有想到，2018年2月，中科院微電子所向行業(yè)大佬Intel打出了中國(guó)集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向海外巨頭專(zhuān)利維權(quán)的第一槍。指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，要求賠償至少2億元，同時(shí)請(qǐng)求法院對(duì)“酷睿”產(chǎn)品實(shí)施禁售。

中科院微電子所有何能力，能“將”行業(yè)大佬Intel一軍？

從全球能夠在FinFET上投入研（燒）發(fā)（錢(qián)）的玩家來(lái)看，數(shù)量并不多。除了加工制造的臺(tái)積電、三星、Intel、IBM、格羅方得、中芯國(guó)際之外，其它一些企業(yè)/機(jī)構(gòu)只有中科院微電子所、AMD、英飛凌、意法半導(dǎo)體、比利時(shí)IMEC等。

據(jù)美國(guó)專(zhuān)利咨詢(xún)公司LexInnova在2016年發(fā)布的全球FinFET專(zhuān)利調(diào)查報(bào)告顯示，中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利數(shù)量排在第11位，也是中國(guó)大陸唯一進(jìn)入前20位的企業(yè)。但是其整體專(zhuān)利質(zhì)量卻位列全球第一，這一指標(biāo)超越了全球著名的半導(dǎo)體公司Intel、IBM、三星、臺(tái)積電等。

中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

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這個(gè)專(zhuān)利質(zhì)量的評(píng)比應(yīng)該是綜合的專(zhuān)利統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)（例如專(zhuān)利引證率等指標(biāo)）和專(zhuān)家打分的方式。無(wú)論怎樣，這也是中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，甚至是電子信息領(lǐng)域中，唯一一個(gè)由國(guó)外專(zhuān)業(yè)咨詢(xún)機(jī)構(gòu)評(píng)選出的，在專(zhuān)利質(zhì)量上能力壓國(guó)際巨頭，排名全球第一的機(jī)構(gòu)。這個(gè)頭銜，就連華為都不曾有過(guò)，在5G標(biāo)準(zhǔn)必要專(zhuān)利上，國(guó)外咨詢(xún)機(jī)構(gòu)承認(rèn)華為5G專(zhuān)利數(shù)量位列第一，但沒(méi)有一家機(jī)構(gòu)敢說(shuō)華為的5G專(zhuān)利質(zhì)量能夠達(dá)到全球第一。這也從側(cè)面證實(shí)了，中科院微電子所在FinFET的研發(fā)上確實(shí)位居國(guó)際前沿。

頂著這個(gè)“全球第一”專(zhuān)利質(zhì)量的光環(huán)，Intel曾在中國(guó)和美國(guó)兩地試圖5次去無(wú)效掉中科院微電子所的這件FinFET專(zhuān)利，最終都以失敗告終。由此可見(jiàn)中科院微電子所用來(lái)訴訟專(zhuān)利的價(jià)值。

但是，這一戰(zhàn)似乎在11月4日迎來(lái)了轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

在Intel對(duì)中科院微電子所的這件中國(guó)專(zhuān)利ZL201110240931.5發(fā)起的第二次無(wú)效請(qǐng)求中，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局支持了Intel提交的新證據(jù)和理由，最終裁定該專(zhuān)利權(quán)利要求8、10、14無(wú)效。而無(wú)效的理由則是因?yàn)橹锌圃何㈦娮铀谙壬暾?qǐng)的一篇專(zhuān)利（CN102768957A）構(gòu)成了本申請(qǐng)的“抵觸申請(qǐng)”，使得該專(zhuān)利權(quán)利要求8、10、14不具備新穎性。

02、關(guān)鍵專(zhuān)利爭(zhēng)奪戰(zhàn)，才剛剛開(kāi)始

這個(gè)“自己被自己打敗”的結(jié)果，確實(shí)有點(diǎn)意外。但這并不是終審結(jié)果，中科院微電子所還可以提起繼續(xù)上訴，來(lái)“奪回”這一關(guān)鍵專(zhuān)利?？梢哉f(shuō)，Intel扳回的這一局，只是拉開(kāi)了這場(chǎng)關(guān)鍵專(zhuān)利爭(zhēng)奪戰(zhàn)的序幕。

1、“抵觸申請(qǐng)”認(rèn)定或是爭(zhēng)議點(diǎn)

“抵觸申請(qǐng)”的存在是因?yàn)?a href='http://m.jupyterflow.com/search_zhuanli.html' target='_blank'>專(zhuān)利從申請(qǐng)到公開(kāi)一般都要經(jīng)過(guò)很長(zhǎng)的時(shí)間，例如發(fā)明要有18個(gè)月，所以在此期間申請(qǐng)的新專(zhuān)利，有可能因?yàn)樵谙壬暾?qǐng)的專(zhuān)利還未公開(kāi)而無(wú)法判斷其新穎性。

因此如果要滿(mǎn)足“抵觸申請(qǐng)”的條件，是非常嚴(yán)格的，至少以下主體和時(shí)間的要件都要同時(shí)滿(mǎn)足：（1）在先專(zhuān)利或申請(qǐng)由任何單位或者個(gè)人在中國(guó)申請(qǐng)；（2）在先專(zhuān)利或申請(qǐng)的申請(qǐng)日早于在后申請(qǐng)的申請(qǐng)日；（3）在先專(zhuān)利或申請(qǐng)的公布或公告日在在后申請(qǐng)的申請(qǐng)日當(dāng)天或之后。

除此之外，還要滿(mǎn)足專(zhuān)利法第22條第2款有關(guān)新穎性的規(guī)定，即權(quán)利要求的技術(shù)特征已被對(duì)比文件全部公開(kāi)，且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)兩者的技術(shù)方案可以確定兩者能夠適用相同的技術(shù)領(lǐng)域，解決相同的技術(shù)問(wèn)題，并具有相同的預(yù)期效果，則認(rèn)為兩者為同樣的發(fā)明。

在2008年專(zhuān)利法第三次修改之后，對(duì)“抵觸申請(qǐng)”的適用范圍作出了較大調(diào)整，將之前的只有“他人”申請(qǐng)的專(zhuān)利才能作為抵觸申請(qǐng)的要件修改為“任何單位或個(gè)人”，也就是將“自我抵觸”包含在內(nèi)，這與歐洲專(zhuān)利局的做法相同了。

中科院微電子所的此次無(wú)效也正是適用了“自我抵觸”的情形。

雖然中科院微電子所也承認(rèn)Intel的新證據(jù)材料滿(mǎn)足“抵觸申請(qǐng)”要件，但是對(duì)于兩件專(zhuān)利的新穎性判斷標(biāo)準(zhǔn)上還是存在爭(zhēng)議的。

中科院微電子所認(rèn)為爭(zhēng)議有三點(diǎn)：

（1）Intel引入的證據(jù)內(nèi)容來(lái)自該專(zhuān)利的兩個(gè)實(shí)施例：一個(gè)方法實(shí)施例，一個(gè)產(chǎn)品實(shí)施例，不能用兩個(gè)實(shí)施例來(lái)評(píng)價(jià)新穎性。

（2）本專(zhuān)利與證據(jù)相比，二者解決的技術(shù)問(wèn)題不同，預(yù)期效果不同。

（3）權(quán)利要求8與證據(jù)相比存在區(qū)別技術(shù)特征：一是“……與鰭相交”沒(méi)有被證據(jù)所公開(kāi)，權(quán)8中相交是指柵電極跨在鰭上形成立體交叉關(guān)系，而證據(jù)中的偽柵條208未跨在鰭上，未形成立體交叉關(guān)系；二是證據(jù)中的側(cè)墻與本專(zhuān)利中的電介質(zhì)墻形狀、位置、作用都不相同，除了形狀不同外，中科院微電子所認(rèn)為本專(zhuān)利電介質(zhì)墻的作用是用作柵極側(cè)墻，而證據(jù)中側(cè)墻作用是用作掩膜層。

雖然這三點(diǎn)內(nèi)容最終并未被復(fù)審的合議組所采納。但是這三點(diǎn)疑問(wèn)，一定會(huì)繼續(xù)成為接下來(lái)的爭(zhēng)議焦點(diǎn)。

對(duì)于第一點(diǎn)，中科院微電子所提出的疑義從嚴(yán)格意義上看是有道理的。也就是對(duì)不同實(shí)施例的組合能否用來(lái)評(píng)價(jià)新穎性？爭(zhēng)議點(diǎn)在于本案這種具有“影子式”的方法和產(chǎn)品實(shí)施例，是否能認(rèn)定為不同實(shí)施例，這一點(diǎn)可能后續(xù)在法庭上會(huì)繼續(xù)有爭(zhēng)議，這不是技術(shù)問(wèn)題，而是法律問(wèn)題，類(lèi)似的在先判例感覺(jué)在中、美兩國(guó)應(yīng)該都會(huì)有。

對(duì)于第二點(diǎn)，可能是中科院微電子所未來(lái)能否翻盤(pán)的關(guān)鍵。在新穎性判斷要件中，除了技術(shù)特征要完全相同外，對(duì)于解決的技術(shù)問(wèn)題，預(yù)期效果也是非常重要的衡量指標(biāo)，如果不同，也不能認(rèn)為是“抵觸申請(qǐng)”。在合議組的決定中，有一句話值得關(guān)注“一個(gè)技術(shù)方案所解決的技術(shù)問(wèn)題，不僅只限于提出該技術(shù)方案時(shí)聲稱(chēng)要解決的技術(shù)問(wèn)題，還包括該技術(shù)方案能夠解決的技術(shù)問(wèn)題”。基于這樣一種判斷，合議組認(rèn)為“雖然證據(jù)文件沒(méi)有明確提出所解決的技術(shù)問(wèn)題與本專(zhuān)利解決的技術(shù)問(wèn)題相同，但是因?yàn)椴捎昧送瑯拥摹瓊?cè)墻結(jié)構(gòu)和……電隔離的工藝順序“，因此就認(rèn)為”同樣能夠解決本專(zhuān)利所遇到的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)到同樣的技術(shù)效果”。因此爭(zhēng)議的焦點(diǎn)就變成，能否從在先的抵觸申請(qǐng)毫無(wú)意義的導(dǎo)出本專(zhuān)利所要解決的技術(shù)問(wèn)題，這決定著本專(zhuān)利所聲稱(chēng)要解決的技術(shù)問(wèn)題及采取的方案是否是首次提出，這個(gè)分歧點(diǎn)還是有些主觀判斷在內(nèi)的，因此也會(huì)成為后期激辯的重點(diǎn)。法律可能要在復(fù)審員是否存在“事后諸葛亮”和申請(qǐng)人對(duì)技術(shù)差異的詳細(xì)陳述中，尋找平衡點(diǎn)。

這有點(diǎn)像輝瑞公司研發(fā)“萬(wàn)艾可”藥物時(shí)，最開(kāi)始專(zhuān)利要解決的技術(shù)問(wèn)題是治療高血壓，而不是治療男性勃起障礙。但是現(xiàn)臨床效果出來(lái)后發(fā)現(xiàn)要解決的技術(shù)問(wèn)題已經(jīng)完全改變了，但實(shí)際上發(fā)明的藥物化學(xué)結(jié)構(gòu)并沒(méi)有改變，因此就變成能否因?yàn)樗幬锘瘜W(xué)結(jié)構(gòu)沒(méi)變就認(rèn)為“萬(wàn)艾可”新用途的專(zhuān)利不具有新穎性的問(wèn)題。雖然中科院微電子所的這個(gè)專(zhuān)利與“萬(wàn)艾可”的例子在原理上有點(diǎn)類(lèi)似，但還不完全一樣，因此后續(xù)走向如何，應(yīng)該會(huì)有很大爭(zhēng)議。

對(duì)于第三點(diǎn)，雖然中科院微電子所提出了兩點(diǎn)區(qū)別技術(shù)特征，看似從結(jié)構(gòu)、形狀、位置等多方面確實(shí)存在不同，但是最終判斷依據(jù)是按照權(quán)利要求文字所要求的內(nèi)容來(lái)判斷，上述申訴理由的區(qū)別特征實(shí)際上在權(quán)利要求文字中并未體現(xiàn)出來(lái)，也就是權(quán)利要求的上位概括并未體現(xiàn)出該區(qū)別，合議組不予認(rèn)定也是有道理的。但是這也不能歸咎于專(zhuān)利代理水平不高，實(shí)際上為了讓權(quán)利人獲得更好的創(chuàng)新保護(hù)，一定程度的上位概括還是需要的。從中科院微電子所將這條理由列在最后一點(diǎn)也可以看出，可能代理律師評(píng)估后也會(huì)認(rèn)為這一條被采納的可能性不如前面兩條。

2、不要過(guò)度消費(fèi)“自己打敗自己”

在中科院微電子所的關(guān)鍵專(zhuān)利的部分權(quán)利要求被自家在先專(zhuān)利所“抵觸”之后，一些不明真相的輿論有點(diǎn)將案件的重點(diǎn)“帶跑偏了”。

出現(xiàn)了一些想當(dāng)然的評(píng)論：“自家專(zhuān)利被自己打敗，不重視專(zhuān)利代理將承擔(dān)嚴(yán)重后果！”、“關(guān)鍵技術(shù)交由不同專(zhuān)利代理機(jī)構(gòu)，就要承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)！”等等。

實(shí)際上，中科院微電子所在專(zhuān)利方面的工作已經(jīng)是國(guó)內(nèi)非常高的水平了。目前這起案件的“抵觸”結(jié)論也并非是終審結(jié)果，如果按照上述的分析來(lái)看，后續(xù)還有很大的回旋空間。

而且中科院微電子所目前依然擁有這件有效專(zhuān)利。Intel也很知趣的只是要求無(wú)效掉權(quán)利要求8、10、14，目的可能也只是為自己增加談判籌碼而已。

因?yàn)镮ntel很清楚這件專(zhuān)利在行業(yè)中的價(jià)值和地位。

從中科院微電子所自己對(duì)這件涉訴專(zhuān)利的評(píng)價(jià)來(lái)看，重要性不言而喻：

涉案專(zhuān)利涉及當(dāng)今最先進(jìn)的晶體管器件的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和核心工藝。該專(zhuān)利是在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)（02專(zhuān)項(xiàng)）的支持下，圍繞集成電路先進(jìn)制造技術(shù)進(jìn)行布局的若干專(zhuān)利組合中的核心專(zhuān)利之一，能夠有效提升芯片集成度并降低制造成本。

此外，還有人認(rèn)為這件專(zhuān)利在2011年就提出用側(cè)墻做柵極切斷，不僅時(shí)間早，而且在工藝上更易實(shí)施，尤其是受到光刻的限制后，所以這件專(zhuān)利的基礎(chǔ)性地位還是很高的，其它一些知名大廠的工藝可能也會(huì)涉及該專(zhuān)利的技術(shù)。

03、中科院微電子所讓Intel忌憚的“三個(gè)大殺器”

半導(dǎo)體制造，一直以來(lái)都是美國(guó)卡中國(guó)脖子的關(guān)鍵所在。

FinFET技術(shù)原理雖然是由華人提出，但是美國(guó)占據(jù)了創(chuàng)新和專(zhuān)利產(chǎn)出的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。中國(guó)大陸只有中芯國(guó)際和中科院微電子所能形成一定氣候。

與中芯國(guó)際偏向后端應(yīng)用不同，中科院微電子所的創(chuàng)新和專(zhuān)利更接近于對(duì)基礎(chǔ)原理的探究。因此，高端人才、先導(dǎo)技術(shù)和高質(zhì)量專(zhuān)利、以及非制造實(shí)體這三個(gè)殺手锏，就成為Intel不得不對(duì)其忌憚三分的理由。

1、臥虎藏龍：中科院不是“一個(gè)人”在戰(zhàn)斗

中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的研發(fā)人員只有150人，與Intel龐大的研發(fā)人員和研發(fā)投入相比，顯得有點(diǎn)微不足道。但是這個(gè)隊(duì)伍不僅低調(diào)，而且“臥虎藏龍”。

以此次被Intel作為證據(jù)的專(zhuān)利CN10268957A為例。這件專(zhuān)利的三位發(fā)明人分別是朱慧瓏、鐘匯才、梁擎擎。三個(gè)人都有在國(guó)外知名半導(dǎo)體巨頭的工作經(jīng)歷，尤其是在IBM的工作經(jīng)驗(yàn)。

朱慧瓏：中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心首席科學(xué)家。1990-2009年，先后在美國(guó)阿貢國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、伊利諾伊大學(xué)、DEC、Intel和IBM等任職，曾是IBM全公司2007年度4名牽頭發(fā)明家（Leading Inventor）之一；IBM發(fā)明大師（Master Inventor）；獲IBM優(yōu)秀專(zhuān)利獎(jiǎng)兩次和IBM公司發(fā)明成就獎(jiǎng)51次。2009年回國(guó)，擔(dān)任國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)“22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)”和“16-14納米基礎(chǔ)技術(shù)研究”項(xiàng)目首席專(zhuān)家，在國(guó)內(nèi)首次完成了原型器件的研發(fā)并建立了較系統(tǒng)的高質(zhì)量專(zhuān)利組合。獲得已授權(quán)美國(guó)專(zhuān)利190多件。

鐘匯才：畢業(yè)于美國(guó)北卡羅來(lái)納州立大學(xué)電子工程系。自2002 年畢業(yè)后在世界知名公司包括AMD、IBM、SanDisk 等公司從事CPU、Flash 等高性能芯片研究與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，在美國(guó)申請(qǐng)并授權(quán)多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。自2009 年回國(guó)后，先后承擔(dān)了國(guó)家“973”計(jì)劃、國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02 專(zhuān)項(xiàng)、科技部重大儀器專(zhuān)項(xiàng)、中國(guó)科學(xué)院信息先導(dǎo)項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等重大課題研究任務(wù)，發(fā)表文章20 多篇，申請(qǐng)中國(guó)、美國(guó)與歐盟專(zhuān)利200 多項(xiàng)，其中以第一發(fā)明人身份申請(qǐng)并授權(quán)100項(xiàng)中國(guó)專(zhuān)利與國(guó)際專(zhuān)利。在這些重大的專(zhuān)利成果中，已確認(rèn)美國(guó)Intel 公司的28 納米以下的微電子芯片自2014 年對(duì)鐘匯才以第一發(fā)明人申請(qǐng)的美國(guó)專(zhuān)利US9070719、中國(guó)專(zhuān)利CN102956457B構(gòu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的的侵權(quán)，由中國(guó)科學(xué)院微電子所對(duì)Intel 公司發(fā)起進(jìn)行訴訟。

梁擎擎：畢業(yè)于美國(guó)佐治亞理工學(xué)院。后進(jìn)入IBM工作，曾獲得IBM杰出技術(shù)成就獎(jiǎng)，IBM發(fā)明獎(jiǎng)，并曾收錄于“美國(guó)名人錄”2008-2009雜志。

Intel在集成電路制造領(lǐng)域最大的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)者是誰(shuí)？就是IBM。

在美國(guó)專(zhuān)利咨詢(xún)公司LexInnova的FinFET專(zhuān)利數(shù)量排名中，IBM以1885件排名第一，是Intel（854件）的兩倍多。在一些影響FinFET性能的關(guān)鍵技術(shù)上，例如高k柵介質(zhì)/金屬柵的研究上，IBM的專(zhuān)利成果甚至要早于Intel七八年，這項(xiàng)技術(shù)同樣是也中科院微電子所的強(qiáng)項(xiàng)。

中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

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所以，中科院微電子所并不是"一個(gè)人"在戰(zhàn)斗，其背后的“隱藏”實(shí)力才是Intel所忌憚的。除了IBM，中科院微電子所專(zhuān)家們的背景還包括三星、AMD、聯(lián)華等國(guó)際知名半導(dǎo)體企業(yè)工作經(jīng)歷，可以說(shuō)是實(shí)打?qū)嵉囊恢痪哂袊?guó)際先進(jìn)水平的高質(zhì)量科研團(tuán)隊(duì)?？梢韵胂螅诉@件訴訟專(zhuān)利外，中科院微電子所的專(zhuān)利武器庫(kù)中應(yīng)該還有很多儲(chǔ)備彈藥可以使用。怪不得Intel不敢小覷。

2、先導(dǎo)研發(fā)+高質(zhì)量專(zhuān)利

中科院微電子所不僅承擔(dān)了各類(lèi)國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)，同時(shí)也是中科院先導(dǎo)專(zhuān)項(xiàng)的重要承擔(dān)單位。正是國(guó)家在這些基礎(chǔ)性、前瞻性技術(shù)上的不斷投入，吸引人才，緊跟國(guó)際先進(jìn)水平，才使得微電子所的科研水平一直位居世界前列。

FinFET技術(shù)上，如何體現(xiàn)先導(dǎo)研發(fā)和基礎(chǔ)性？

從技術(shù)特點(diǎn)上看，F(xiàn)inFET與傳統(tǒng)平面FET的區(qū)別主要在“鰭”上，這也是胡正明的創(chuàng)新之處。因此對(duì)“鰭”的后續(xù)改進(jìn)，就成為各家爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。其它諸如柵堆棧、襯底、互聯(lián)、源漏的設(shè)置都要圍繞鰭的變化而進(jìn)行。

中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

中科院微電子所正是在“鰭”的創(chuàng)新上投入了大量的基礎(chǔ)性研究，有超過(guò)一多半的專(zhuān)利都是圍繞“鰭”在研發(fā)，這或許也是為何其專(zhuān)利質(zhì)量能排在全球第一的重要因素之一。

另一家在“鰭”上進(jìn)行廣泛布局的巨頭就是與中科院科研人員有背景關(guān)聯(lián)的IBM公司。可見(jiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)中這種技術(shù)的傳承性特點(diǎn)還是很明顯的。

不僅技術(shù)緊跟國(guó)際最前沿，中科院微電子所在專(zhuān)利上的工作其實(shí)也是可圈可點(diǎn)的。

在其官方網(wǎng)頁(yè)的介紹中，有這么一段描述：

先導(dǎo)中心實(shí)現(xiàn)了22納米CMOS、高k柵介質(zhì)/金屬柵工程、16/14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FinFETs、5納米及以下納米線和堆疊納米片器件等關(guān)鍵技術(shù)的突破，研究水平邁入世界前列；提出了“專(zhuān)利指導(dǎo)下的研發(fā)戰(zhàn)略”，在關(guān)鍵工藝模塊上形成了較為系統(tǒng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)布局（專(zhuān)利2024項(xiàng)，含國(guó)際專(zhuān)利607項(xiàng)），部分關(guān)鍵專(zhuān)利被Intel、IBM、臺(tái)積電、三星等國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)廣泛引用和部分應(yīng)用。

也就是在和國(guó)外高手“較量”之前，微電子所就已經(jīng)意識(shí)到專(zhuān)利的重要性作用，將其全面貫穿到先導(dǎo)技術(shù)的研發(fā)中，而且這些產(chǎn)出的成果已經(jīng)被國(guó)際大廠所廣泛引用。

重視專(zhuān)利布局，就是另一個(gè)讓微電子所的FinFET專(zhuān)利質(zhì)量能夠達(dá)到全球第一的硬指標(biāo)了。

這也是Intel不得不忌憚的一點(diǎn)。

3、具有NPE的潛質(zhì)

中科院微電子所的發(fā)展定位決定了其只需要考慮前端研發(fā)，而不必考慮后端生產(chǎn)制造?？蒲谐晒霓D(zhuǎn)化，如果以專(zhuān)利許可的方式進(jìn)行，就十分符合“專(zhuān)利非實(shí)施實(shí)體”（Non-Practicing Entity, NPEs）的特點(diǎn)。

從過(guò)去十多年的NPEs發(fā)展歷史來(lái)看，往往是一些大公司“揮之不去”的噩夢(mèng)。因?yàn)檫@些NPEs手中握有高質(zhì)量的專(zhuān)利，但又并不直接從事生產(chǎn)制造，因此被他們纏上的大公司往往無(wú)法“對(duì)等”應(yīng)對(duì)，多數(shù)情況不得不選擇“花錢(qián)免災(zāi)”。

蘋(píng)果、三星、華為這些巨頭，幾乎是所有NPEs都想咬上一口的“唐僧肉”。

因此，Intel在中科院微電子所面前，完全施展不開(kāi)一家半導(dǎo)體巨頭的威風(fēng)，反而更像是一塊任人宰割的案板肉。

近年來(lái)，中科院微電子所也正在向著技術(shù)轉(zhuǎn)化和專(zhuān)利許可的目標(biāo)前進(jìn)，不僅以1100萬(wàn)美元成功將1493件專(zhuān)利許可給武漢新芯，而且還成立了一家專(zhuān)注于知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)的服務(wù)公司。目的不言自明，就是要盤(pán)活中科院微電子所的這些高價(jià)值專(zhuān)利。

中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分

此次選擇主動(dòng)起訴Intel，更像是“萊克星頓的槍聲”，打響的是中科院微電子所希望在集成電路半導(dǎo)體行業(yè)徹底盤(pán)活專(zhuān)利，走向市場(chǎng)的決心。

04、寫(xiě)在最后：Intel之后，下一個(gè)是誰(shuí)？

11月9日，國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)專(zhuān)家組組長(zhǎng)、中科院微電子所前所長(zhǎng)葉甜春在中國(guó)半導(dǎo)體封測(cè)年會(huì)上發(fā)表演講《新形勢(shì)下我國(guó)集成電路發(fā)展的回顧與展望》，總結(jié)了重大專(zhuān)項(xiàng)在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面取得的進(jìn)展：自02專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施以來(lái)，共申請(qǐng)專(zhuān)利30429件，其中發(fā)明專(zhuān)利25221件，實(shí)用新型1849件，國(guó)際專(zhuān)利3358件。

如果根據(jù)國(guó)外經(jīng)驗(yàn)，如果在一個(gè)核心專(zhuān)利組合中，有5%-10%是核心專(zhuān)利，那就應(yīng)該是一個(gè)成功的專(zhuān)利包。從02專(zhuān)項(xiàng)取得的3萬(wàn)件專(zhuān)利來(lái)看，如果其中有1500-3000件是核心專(zhuān)利，中國(guó)在卡脖子領(lǐng)域的情況都會(huì)大大好轉(zhuǎn)。但是實(shí)際情況來(lái)看，目前還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到這一數(shù)量。

此次中科院微電子所與Intel交戰(zhàn)的核心專(zhuān)利，正是來(lái)自國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)02專(zhuān)項(xiàng)的支持?？梢哉f(shuō)，今天的收獲，與十年前的播種是分不開(kāi)的。

專(zhuān)利布局和搞基礎(chǔ)研究的道理一樣的，不能想著今天申請(qǐng)一個(gè)，明天就去起訴別人。要能耐下心來(lái)，仔細(xì)研究，知己知彼，才能獲得高質(zhì)量的專(zhuān)利產(chǎn)出。

Intel應(yīng)該是第一個(gè)“撞”到中科院微電子所槍口上的巨頭，但絕對(duì)不會(huì)是最后一個(gè)。

朱慧瓏研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開(kāi)始研究3nm以下代替FinFET的全環(huán)柵GAA技術(shù)了。這也是三星也非?？春玫募夹g(shù)。那，下一槍會(huì)不會(huì)對(duì)準(zhǔn)三星？完全有可能。

實(shí)際上，臺(tái)積電、AMD、格羅方德，甚至是蘋(píng)果，都有可能進(jìn)入到中科院微電子所的“專(zhuān)利射程”。

扳機(jī)何時(shí)扣動(dòng)，就要看中科院科學(xué)家們的心情了。

來(lái)源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）

作者：黃鶯企業(yè)專(zhuān)利觀察

編輯：IPRdaily王穎校對(duì)：IPRdaily縱橫君

注：原文鏈接：中科院微電子所的FinFET專(zhuān)利，為何能讓英特爾忌憚三分（點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文）

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