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中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分

專利
灣區(qū)知識產(chǎn)權(quán)5年前
中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分

中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分

#本文由作者授權(quán)發(fā)布,未經(jīng)作者許可,禁止轉(zhuǎn)載,不代表IPRdaily立場#


來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)

作者:黃鶯 企業(yè)專利觀察

原標題:中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分


2018年2月,中科院微電子所向行業(yè)大佬Intel打出了中國集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向海外巨頭專利維權(quán)的第一槍。指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專利,要求賠償至少2億元,同時請求法院對“酷?!碑a(chǎn)品實施禁售。11月4日,在Intel對中科院微電子所的這件中國專利ZL201110240931.5發(fā)起的第二次無效請求中,國家知識產(chǎn)權(quán)局支持了Intel提交的新證據(jù)和理由,最終裁定該專利權(quán)利要求8、10、14無效。但這并不是終審結(jié)果,中科院微電子所還可以提起繼續(xù)上訴,來“奪回”這一關(guān)鍵專利。


中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分


FinFET技術(shù)在半導(dǎo)體制程發(fā)展到22nm~5nm時發(fā)揮了重要的作用。這項技術(shù)最早是由加州大學(xué)伯克利分校的胡正明在1999年提出來的,他也因此被稱為“FinFET之父”。


另一位半導(dǎo)體界的風云人物——梁孟松,在美國就讀期間,導(dǎo)師正是胡正明。


梁孟松后來輾轉(zhuǎn)于臺積電、三星和中芯國際。在他任職期間,臺積電與三星紛紛押注自主研發(fā),通過“砸錢”慢慢地拉開了與各自“師傅”(Intel和IBM)的距離,形成了獨立的發(fā)展模式,也奠定了當今集成電路制造產(chǎn)業(yè)的全球格局。


臺積電和三星都將發(fā)展FinFET作為過去十年競爭的利器。但實際上,行業(yè)內(nèi)最早實現(xiàn)FinFET商業(yè)化應(yīng)用的卻是Intel公司。2011年,Intel宣布FinFET量產(chǎn)計劃。第二年,在Intel推出的酷睿系列產(chǎn)品就采用了FinFET工藝。


Intel在半導(dǎo)體制造核心技術(shù)上已經(jīng)引領(lǐng)世界幾十年,研發(fā)投入也遠超臺積電。在技術(shù)模仿鏈上,臺積電一直在追隨Intel,中芯國際則在追隨臺積電。


01、打向巨頭的第一槍


華為在通信領(lǐng)域用專利深耕了二十多年,才達到與國外巨頭平起平坐的水平。


在集成電路加工制造領(lǐng)域,中國大陸幾十年來一直處在追趕者的角色。


但誰也沒有想到,2018年2月,中科院微電子所向行業(yè)大佬Intel打出了中國集成電路半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向海外巨頭專利維權(quán)的第一槍。指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET專利,要求賠償至少2億元,同時請求法院對“酷?!碑a(chǎn)品實施禁售。


中科院微電子所有何能力,能“將”行業(yè)大佬Intel一軍?


從全球能夠在FinFET上投入研(燒)發(fā)(錢)的玩家來看,數(shù)量并不多。除了加工制造的臺積電、三星、Intel、IBM、格羅方得、中芯國際之外,其它一些企業(yè)/機構(gòu)只有中科院微電子所、AMD、英飛凌、意法半導(dǎo)體、比利時IMEC等。


據(jù)美國專利咨詢公司LexInnova在2016年發(fā)布的全球FinFET專利調(diào)查報告顯示,中科院微電子所的FinFET專利數(shù)量排在第11位,也是中國大陸唯一進入前20位的企業(yè)。但是其整體專利質(zhì)量卻位列全球第一,這一指標超越了全球著名的半導(dǎo)體公司Intel、IBM、三星、臺積電等。


中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分

來源:中科院微電子所網(wǎng)站


這個專利質(zhì)量的評比應(yīng)該是綜合的專利統(tǒng)計數(shù)據(jù)(例如專利引證率等指標)和專家打分的方式。無論怎樣,這也是中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域,甚至是電子信息領(lǐng)域中,唯一一個由國外專業(yè)咨詢機構(gòu)評選出的,在專利質(zhì)量上能力壓國際巨頭,排名全球第一的機構(gòu)。這個頭銜,就連華為都不曾有過,在5G標準必要專利上,國外咨詢機構(gòu)承認華為5G專利數(shù)量位列第一,但沒有一家機構(gòu)敢說華為的5G專利質(zhì)量能夠達到全球第一。這也從側(cè)面證實了,中科院微電子所在FinFET的研發(fā)上確實位居國際前沿。


頂著這個“全球第一”專利質(zhì)量的光環(huán),Intel曾在中國和美國兩地試圖5次去無效掉中科院微電子所的這件FinFET專利,最終都以失敗告終。由此可見中科院微電子所用來訴訟專利的價值。


但是,這一戰(zhàn)似乎在11月4日迎來了轉(zhuǎn)折點。


在Intel對中科院微電子所的這件中國專利ZL201110240931.5發(fā)起的第二次無效請求中,國家知識產(chǎn)權(quán)局支持了Intel提交的新證據(jù)和理由,最終裁定該專利權(quán)利要求8、10、14無效。而無效的理由則是因為中科院微電子所在先申請的一篇專利(CN102768957A)構(gòu)成了本申請的“抵觸申請”,使得該專利權(quán)利要求8、10、14不具備新穎性。


02、關(guān)鍵專利爭奪戰(zhàn),才剛剛開始


這個“自己被自己打敗”的結(jié)果,確實有點意外。但這并不是終審結(jié)果,中科院微電子所還可以提起繼續(xù)上訴,來“奪回”這一關(guān)鍵專利。可以說,Intel扳回的這一局,只是拉開了這場關(guān)鍵專利爭奪戰(zhàn)的序幕。


1、“抵觸申請”認定或是爭議點


“抵觸申請”的存在是因為專利從申請到公開一般都要經(jīng)過很長的時間,例如發(fā)明要有18個月,所以在此期間申請的新專利,有可能因為在先申請的專利還未公開而無法判斷其新穎性。


因此如果要滿足“抵觸申請”的條件,是非常嚴格的,至少以下主體和時間的要件都要同時滿足:(1)在先專利或申請由任何單位或者個人在中國申請;(2)在先專利或申請的申請日早于在后申請的申請日;(3)在先專利或申請的公布或公告日在在后申請的申請日當天或之后。


除此之外,還要滿足專利法第22條第2款有關(guān)新穎性的規(guī)定,即權(quán)利要求的技術(shù)特征已被對比文件全部公開,且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)兩者的技術(shù)方案可以確定兩者能夠適用相同的技術(shù)領(lǐng)域,解決相同的技術(shù)問題,并具有相同的預(yù)期效果,則認為兩者為同樣的發(fā)明。


在2008年專利法第三次修改之后,對“抵觸申請”的適用范圍作出了較大調(diào)整,將之前的只有“他人”申請的專利才能作為抵觸申請的要件修改為“任何單位或個人”,也就是將“自我抵觸”包含在內(nèi),這與歐洲專利局的做法相同了。


中科院微電子所的此次無效也正是適用了“自我抵觸”的情形。


雖然中科院微電子所也承認Intel的新證據(jù)材料滿足“抵觸申請”要件,但是對于兩件專利的新穎性判斷標準上還是存在爭議的。


中科院微電子所認為爭議有三點:


(1)Intel引入的證據(jù)內(nèi)容來自該專利的兩個實施例:一個方法實施例,一個產(chǎn)品實施例,不能用兩個實施例來評價新穎性。


(2)本專利與證據(jù)相比,二者解決的技術(shù)問題不同,預(yù)期效果不同。


(3)權(quán)利要求8與證據(jù)相比存在區(qū)別技術(shù)特征:一是“……與鰭相交”沒有被證據(jù)所公開,權(quán)8中相交是指柵電極跨在鰭上形成立體交叉關(guān)系,而證據(jù)中的偽柵條208未跨在鰭上,未形成立體交叉關(guān)系;二是證據(jù)中的側(cè)墻與本專利中的電介質(zhì)墻形狀、位置、作用都不相同,除了形狀不同外,中科院微電子所認為本專利電介質(zhì)墻的作用是用作柵極側(cè)墻,而證據(jù)中側(cè)墻作用是用作掩膜層。


雖然這三點內(nèi)容最終并未被復(fù)審的合議組所采納。但是這三點疑問,一定會繼續(xù)成為接下來的爭議焦點。


對于第一點,中科院微電子所提出的疑義從嚴格意義上看是有道理的。也就是對不同實施例的組合能否用來評價新穎性?爭議點在于本案這種具有“影子式”的方法和產(chǎn)品實施例,是否能認定為不同實施例,這一點可能后續(xù)在法庭上會繼續(xù)有爭議,這不是技術(shù)問題,而是法律問題,類似的在先判例感覺在中、美兩國應(yīng)該都會有。


對于第二點,可能是中科院微電子所未來能否翻盤的關(guān)鍵。在新穎性判斷要件中,除了技術(shù)特征要完全相同外,對于解決的技術(shù)問題,預(yù)期效果也是非常重要的衡量指標,如果不同,也不能認為是“抵觸申請”。在合議組的決定中,有一句話值得關(guān)注“一個技術(shù)方案所解決的技術(shù)問題,不僅只限于提出該技術(shù)方案時聲稱要解決的技術(shù)問題,還包括該技術(shù)方案能夠解決的技術(shù)問題”。基于這樣一種判斷,合議組認為“雖然證據(jù)文件沒有明確提出所解決的技術(shù)問題與本專利解決的技術(shù)問題相同,但是因為采用了同樣的……側(cè)墻結(jié)構(gòu)和……電隔離的工藝順序“,因此就認為”同樣能夠解決本專利所遇到的問題,進而達到同樣的技術(shù)效果”。因此爭議的焦點就變成,能否從在先的抵觸申請毫無意義的導(dǎo)出本專利所要解決的技術(shù)問題,這決定著本專利所聲稱要解決的技術(shù)問題及采取的方案是否是首次提出,這個分歧點還是有些主觀判斷在內(nèi)的,因此也會成為后期激辯的重點。法律可能要在復(fù)審員是否存在“事后諸葛亮”和申請人對技術(shù)差異的詳細陳述中,尋找平衡點。


這有點像輝瑞公司研發(fā)“萬艾可”藥物時,最開始專利要解決的技術(shù)問題是治療高血壓,而不是治療男性勃起障礙。但是現(xiàn)臨床效果出來后發(fā)現(xiàn)要解決的技術(shù)問題已經(jīng)完全改變了,但實際上發(fā)明的藥物化學(xué)結(jié)構(gòu)并沒有改變,因此就變成能否因為藥物化學(xué)結(jié)構(gòu)沒變就認為“萬艾可”新用途的專利不具有新穎性的問題。雖然中科院微電子所的這個專利與“萬艾可”的例子在原理上有點類似,但還不完全一樣,因此后續(xù)走向如何,應(yīng)該會有很大爭議。


對于第三點,雖然中科院微電子所提出了兩點區(qū)別技術(shù)特征,看似從結(jié)構(gòu)、形狀、位置等多方面確實存在不同,但是最終判斷依據(jù)是按照權(quán)利要求文字所要求的內(nèi)容來判斷,上述申訴理由的區(qū)別特征實際上在權(quán)利要求文字中并未體現(xiàn)出來,也就是權(quán)利要求的上位概括并未體現(xiàn)出該區(qū)別,合議組不予認定也是有道理的。但是這也不能歸咎于專利代理水平不高,實際上為了讓權(quán)利人獲得更好的創(chuàng)新保護,一定程度的上位概括還是需要的。從中科院微電子所將這條理由列在最后一點也可以看出,可能代理律師評估后也會認為這一條被采納的可能性不如前面兩條。


2、不要過度消費“自己打敗自己”


在中科院微電子所的關(guān)鍵專利的部分權(quán)利要求被自家在先專利所“抵觸”之后,一些不明真相的輿論有點將案件的重點“帶跑偏了”。


出現(xiàn)了一些想當然的評論:“自家專利被自己打敗,不重視專利代理將承擔嚴重后果!”、“關(guān)鍵技術(shù)交由不同專利代理機構(gòu),就要承擔風險!”等等。


實際上,中科院微電子所在專利方面的工作已經(jīng)是國內(nèi)非常高的水平了。目前這起案件的“抵觸”結(jié)論也并非是終審結(jié)果,如果按照上述的分析來看,后續(xù)還有很大的回旋空間。


而且中科院微電子所目前依然擁有這件有效專利。Intel也很知趣的只是要求無效掉權(quán)利要求8、10、14,目的可能也只是為自己增加談判籌碼而已。


因為Intel很清楚這件專利在行業(yè)中的價值和地位。


從中科院微電子所自己對這件涉訴專利的評價來看,重要性不言而喻:


涉案專利涉及當今最先進的晶體管器件的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和核心工藝。該專利是在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(02專項)的支持下,圍繞集成電路先進制造技術(shù)進行布局的若干專利組合中的核心專利之一,能夠有效提升芯片集成度并降低制造成本。


此外,還有人認為這件專利在2011年就提出用側(cè)墻做柵極切斷,不僅時間早,而且在工藝上更易實施,尤其是受到光刻的限制后,所以這件專利的基礎(chǔ)性地位還是很高的,其它一些知名大廠的工藝可能也會涉及該專利的技術(shù)。


03、中科院微電子所讓Intel忌憚的“三個大殺器”


半導(dǎo)體制造,一直以來都是美國卡中國脖子的關(guān)鍵所在。


FinFET技術(shù)原理雖然是由華人提出,但是美國占據(jù)了創(chuàng)新和專利產(chǎn)出的絕對優(yōu)勢。中國大陸只有中芯國際和中科院微電子所能形成一定氣候。


與中芯國際偏向后端應(yīng)用不同,中科院微電子所的創(chuàng)新和專利更接近于對基礎(chǔ)原理的探究。因此,高端人才、先導(dǎo)技術(shù)和高質(zhì)量專利、以及非制造實體這三個殺手锏,就成為Intel不得不對其忌憚三分的理由。


1、臥虎藏龍:中科院不是“一個人”在戰(zhàn)斗


中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的研發(fā)人員只有150人,與Intel龐大的研發(fā)人員和研發(fā)投入相比,顯得有點微不足道。但是這個隊伍不僅低調(diào),而且“臥虎藏龍”。


以此次被Intel作為證據(jù)的專利CN10268957A為例。這件專利的三位發(fā)明人分別是朱慧瓏、鐘匯才、梁擎擎。三個人都有在國外知名半導(dǎo)體巨頭的工作經(jīng)歷,尤其是在IBM的工作經(jīng)驗。


朱慧瓏:中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心首席科學(xué)家。1990-2009年,先后在美國阿貢國家實驗室、伊利諾伊大學(xué)、DEC、Intel和IBM等任職,曾是IBM全公司2007年度4名牽頭發(fā)明家(Leading Inventor)之一;IBM發(fā)明大師(Master Inventor);獲IBM優(yōu)秀專利獎兩次和IBM公司發(fā)明成就獎51次。2009年回國,擔任國家重大專項02專項“22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)”和“16-14納米基礎(chǔ)技術(shù)研究”項目首席專家,在國內(nèi)首次完成了原型器件的研發(fā)并建立了較系統(tǒng)的高質(zhì)量專利組合。獲得已授權(quán)美國專利190多件。


鐘匯才:畢業(yè)于美國北卡羅來納州立大學(xué)電子工程系。自2002 年畢業(yè)后在世界知名公司包括AMD、IBM、SanDisk 等公司從事CPU、Flash 等高性能芯片研究與產(chǎn)品開發(fā)工作,在美國申請并授權(quán)多項美國專利。自2009 年回國后,先后承擔了國家“973”計劃、國家科技重大專項02 專項、科技部重大儀器專項、中國科學(xué)院信息先導(dǎo)項目、國家重點研發(fā)計劃等重大課題研究任務(wù),發(fā)表文章20 多篇,申請中國、美國與歐盟專利200 多項,其中以第一發(fā)明人身份申請并授權(quán)100項中國專利與國際專利。在這些重大的專利成果中,已確認美國Intel 公司的28 納米以下的微電子芯片自2014 年對鐘匯才以第一發(fā)明人申請的美國專利US9070719、中國專利CN102956457B構(gòu)知識產(chǎn)權(quán)的的侵權(quán),由中國科學(xué)院微電子所對Intel 公司發(fā)起進行訴訟。


梁擎擎:畢業(yè)于美國佐治亞理工學(xué)院。后進入IBM工作,曾獲得IBM杰出技術(shù)成就獎,IBM發(fā)明獎,并曾收錄于“美國名人錄”2008-2009雜志。


Intel在集成電路制造領(lǐng)域最大的技術(shù)競爭者是誰?就是IBM。


在美國專利咨詢公司LexInnova的FinFET專利數(shù)量排名中,IBM以1885件排名第一,是Intel(854件)的兩倍多。在一些影響FinFET性能的關(guān)鍵技術(shù)上,例如高k柵介質(zhì)/金屬柵的研究上,IBM的專利成果甚至要早于Intel七八年,這項技術(shù)同樣是也中科院微電子所的強項。


中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分

來源:中科院微電子所網(wǎng)站


所以,中科院微電子所并不是"一個人"在戰(zhàn)斗,其背后的“隱藏”實力才是Intel所忌憚的。除了IBM,中科院微電子所專家們的背景還包括三星、AMD、聯(lián)華等國際知名半導(dǎo)體企業(yè)工作經(jīng)歷,可以說是實打?qū)嵉囊恢痪哂袊H先進水平的高質(zhì)量科研團隊??梢韵胂?,除了這件訴訟專利外,中科院微電子所的專利武器庫中應(yīng)該還有很多儲備彈藥可以使用。怪不得Intel不敢小覷。


2、先導(dǎo)研發(fā)+高質(zhì)量專利


中科院微電子所不僅承擔了各類國家重大專項,同時也是中科院先導(dǎo)專項的重要承擔單位。正是國家在這些基礎(chǔ)性、前瞻性技術(shù)上的不斷投入,吸引人才,緊跟國際先進水平,才使得微電子所的科研水平一直位居世界前列。


FinFET技術(shù)上,如何體現(xiàn)先導(dǎo)研發(fā)和基礎(chǔ)性?


從技術(shù)特點上看,F(xiàn)inFET與傳統(tǒng)平面FET的區(qū)別主要在“鰭”上,這也是胡正明的創(chuàng)新之處。因此對“鰭”的后續(xù)改進,就成為各家爭奪的焦點。其它諸如柵堆棧、襯底、互聯(lián)、源漏的設(shè)置都要圍繞鰭的變化而進行。


中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分


中科院微電子所正是在“鰭”的創(chuàng)新上投入了大量的基礎(chǔ)性研究,有超過一多半的專利都是圍繞“鰭”在研發(fā),這或許也是為何其專利質(zhì)量能排在全球第一的重要因素之一。


另一家在“鰭”上進行廣泛布局的巨頭就是與中科院科研人員有背景關(guān)聯(lián)的IBM公司。可見,半導(dǎo)體行業(yè)中這種技術(shù)的傳承性特點還是很明顯的。


不僅技術(shù)緊跟國際最前沿,中科院微電子所在專利上的工作其實也是可圈可點的。


在其官方網(wǎng)頁的介紹中,有這么一段描述:


先導(dǎo)中心實現(xiàn)了22納米CMOS、高k柵介質(zhì)/金屬柵工程、16/14納米技術(shù)節(jié)點的FinFETs、5納米及以下納米線和堆疊納米片器件等關(guān)鍵技術(shù)的突破,研究水平邁入世界前列;提出了“專利指導(dǎo)下的研發(fā)戰(zhàn)略”,在關(guān)鍵工藝模塊上形成了較為系統(tǒng)的知識產(chǎn)權(quán)布局(專利2024項,含國際專利607項),部分關(guān)鍵專利被Intel、IBM、臺積電、三星等國內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)廣泛引用和部分應(yīng)用。


也就是在和國外高手“較量”之前,微電子所就已經(jīng)意識到專利的重要性作用,將其全面貫穿到先導(dǎo)技術(shù)的研發(fā)中,而且這些產(chǎn)出的成果已經(jīng)被國際大廠所廣泛引用。


重視專利布局,就是另一個讓微電子所的FinFET專利質(zhì)量能夠達到全球第一的硬指標了。


這也是Intel不得不忌憚的一點。


3、具有NPE的潛質(zhì)


中科院微電子所的發(fā)展定位決定了其只需要考慮前端研發(fā),而不必考慮后端生產(chǎn)制造。科研成果的轉(zhuǎn)化,如果以專利許可的方式進行,就十分符合“專利非實施實體”(Non-Practicing Entity, NPEs)的特點。


從過去十多年的NPEs發(fā)展歷史來看,往往是一些大公司“揮之不去”的噩夢。因為這些NPEs手中握有高質(zhì)量的專利,但又并不直接從事生產(chǎn)制造,因此被他們纏上的大公司往往無法“對等”應(yīng)對,多數(shù)情況不得不選擇“花錢免災(zāi)”。


蘋果、三星、華為這些巨頭,幾乎是所有NPEs都想咬上一口的“唐僧肉”。


因此,Intel在中科院微電子所面前,完全施展不開一家半導(dǎo)體巨頭的威風,反而更像是一塊任人宰割的案板肉。


近年來,中科院微電子所也正在向著技術(shù)轉(zhuǎn)化和專利許可的目標前進,不僅以1100萬美元成功將1493件專利許可給武漢新芯,而且還成立了一家專注于知識產(chǎn)權(quán)運營的服務(wù)公司。目的不言自明,就是要盤活中科院微電子所的這些高價值專利。


中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分


此次選擇主動起訴Intel,更像是“萊克星頓的槍聲”,打響的是中科院微電子所希望在集成電路半導(dǎo)體行業(yè)徹底盤活專利,走向市場的決心。


04、寫在最后:Intel之后,下一個是誰?


11月9日,國家科技重大專項02專項專家組組長、中科院微電子所前所長葉甜春在中國半導(dǎo)體封測年會上發(fā)表演講《新形勢下我國集成電路發(fā)展的回顧與展望》,總結(jié)了重大專項在知識產(chǎn)權(quán)方面取得的進展:自02專項實施以來,共申請專利30429件,其中發(fā)明專利25221件,實用新型1849件,國際專利3358件。


如果根據(jù)國外經(jīng)驗,如果在一個核心專利組合中,有5%-10%是核心專利,那就應(yīng)該是一個成功的專利包。從02專項取得的3萬件專利來看,如果其中有1500-3000件是核心專利,中國在卡脖子領(lǐng)域的情況都會大大好轉(zhuǎn)。但是實際情況來看,目前還遠遠達不到這一數(shù)量。


此次中科院微電子所與Intel交戰(zhàn)的核心專利,正是來自國家科技重大專項02專項的支持。可以說,今天的收獲,與十年前的播種是分不開的。


專利布局和搞基礎(chǔ)研究的道理一樣的,不能想著今天申請一個,明天就去起訴別人。要能耐下心來,仔細研究,知己知彼,才能獲得高質(zhì)量的專利產(chǎn)出。


Intel應(yīng)該是第一個“撞”到中科院微電子所槍口上的巨頭,但絕對不會是最后一個。


朱慧瓏研究團隊已經(jīng)開始研究3nm以下代替FinFET的全環(huán)柵GAA技術(shù)了。這也是三星也非??春玫募夹g(shù)。那,下一槍會不會對準三星?完全有可能。


實際上,臺積電、AMD、格羅方德,甚至是蘋果,都有可能進入到中科院微電子所的“專利射程”。


扳機何時扣動,就要看中科院科學(xué)家們的心情了。


來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)

作者:黃鶯 企業(yè)專利觀察

編輯:IPRdaily王穎          校對:IPRdaily縱橫君



注:原文鏈接:中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分點擊標題查看原文)


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中科院微電子所的FinFET專利,為何能讓英特爾忌憚三分

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