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“什么是‘預料不到的技術(shù)效果’需要重點考量的因素?”
來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)
作者:展艷珊 北京高沃律師事務所
在判斷創(chuàng)造性的考慮因素中,“預料不到的技術(shù)效果”越來越多地成為申請人和專利權(quán)人的爭辯手段。然而在創(chuàng)造性的實際審查過程中,在判斷發(fā)明的技術(shù)方案是否產(chǎn)生了“預料不到的技術(shù)效果”時,經(jīng)常存在分歧。尤其在化學領(lǐng)域中,由于化學領(lǐng)域的預見性比較低,通常對于“質(zhì)”或“量”的變化無法事先預測或通過推理得出,判斷發(fā)明是否具有“預料不到的技術(shù)效果”更易產(chǎn)生分歧。因此,在化學領(lǐng)域,究竟什么樣的技術(shù)效果才可以算作預料不到的技術(shù)效果,什么因素是需要重點考量的因素,這些問題都是在面對發(fā)明申請是否具有“預料不到的技術(shù)效果”判斷時需要解決的難題。
“預料不到的技術(shù)效果”的概念
審查指南指出:發(fā)明取得了預料不到的技術(shù)效果,是指發(fā)明同現(xiàn)有技術(shù)相比,其技術(shù)效果產(chǎn)生了“質(zhì)”的變化,具有新的性能;或者產(chǎn)生“量”的變化,超出人們預期的想象。這種“質(zhì)”的或者“量”的變化,對所屬技術(shù)人員來說,事先無法預料或者推理出來。由此可以看出,判斷“預料不到的技術(shù)效果”其實與“三步法”中顯而易見的判斷一樣,均是在技術(shù)效果的事實基礎(chǔ)上作出的判斷;并且,判斷發(fā)明是否具備“預料不到的技術(shù)效果”的主體應當是所屬領(lǐng)域技術(shù)人員。因此,“預料不到的技術(shù)效果”是指技術(shù)效果本身的“質(zhì)”變或“量”變相對于所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的判斷能力和現(xiàn)有技術(shù)給出的教導而言的,需要以所屬領(lǐng)域技術(shù)人員視角根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)以及本申請的技術(shù)效果做出的全面、客觀的評判。
什么是“預料不到的技術(shù)效果”需要重點考量的因素?
筆者認為,預料不到的技術(shù)效果會體現(xiàn)在發(fā)明實際解決的技術(shù)問題上,實際解決的技術(shù)問題經(jīng)常就是發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生的技術(shù)效果自身或者是將其提煉、概括或抽象成的技術(shù)任務,同時該技術(shù)效果是否屬于“預料不到”又由技術(shù)啟示的強弱來決定。因此,如果發(fā)明產(chǎn)生了預料不到的技術(shù)效果,一般情況下也說明區(qū)別技術(shù)特征能夠解決這一技術(shù)問題是難以預料的;進而意味著,現(xiàn)有技術(shù)沒有給出明確、充分的解決該技術(shù)問題的技術(shù)啟示,于是,該發(fā)明的得出也將會是非顯而易見的。因此,“預料不到的技術(shù)效果”需要重點考慮的因素是:“預料不到的技術(shù)效果”與實際解決的技術(shù)問題和技術(shù)啟示的判斷之間的關(guān)系。
下面結(jié)合復審成功的案例舉例說明:
案例:
(一)案情簡述:
權(quán)利要求:
1、一種磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖為四方相磷酸二氫鉀單晶光纖、單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖、四方相磷酸二氘鉀單晶光纖或單斜相磷酸二氘鉀單晶光纖;所述的磷酸二氫鉀的分子式為KH2PO4,所述的磷酸二氘鉀的分子式為K(H1-xDx)2PO4,其中0<x<1;
具體生長方法包括步驟如下:
將磷酸二氫鉀加入溶劑中,密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液;將所得溶液在70-90℃下過熱48小時,之后過濾至生長槽中,冷卻至0-30℃,得到過飽和溶液;向上述過飽和溶液中加入晶種,在采用下種生長方式,在生長槽密封狀態(tài)下生長,得到單晶光纖;
所述的溶劑為超純水和/或重水;
所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分數(shù)為15-40%;
所述的晶種為直徑1-50μm,長徑比為20:1-70:1的KDP晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的四方相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于-42m點群,I-42d空間群,a=b=7.453?,c=6.793?,α=β=γ=90°;所述的單斜相磷酸二氫鉀單晶光纖屬于2/m點群,P21/c空間群,a=14.598(5)?,b=4.503(5)?,c=18.650(5)?,α=90°,γ=90°,β=108.040(5)°;所述的四方相磷酸二氘鉀單晶光纖屬于-42m點群,I-42d空間群,a=b=7.48?,c=7.0?,α=β=γ=90°;所述的單斜相磷酸二氘鉀單晶光纖屬于2/m點群,P21/c空間群,a=14.6571(5)?,b=4.5187(5)?,c=18.6962(5)?,α=90°,γ=90°,β=108.030(2)°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的單晶光纖的直徑為1-100μm;所述單晶光纖的長徑比≥500:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分數(shù)為20-35%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法,其特征在于,所述的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分數(shù)為23%、26%、28.5%、31%、33.3%。......
審查員在審查意見通知書中指出:對比文件1公開了KDP單晶光纖生長及相變研究,并具體公開了高飽和溶液快速生長得到KDP(即KH2PO4)四方相單晶光纖。權(quán)利要求1與對比文件1的區(qū)別為:密封加熱;將溶液在70-90℃下過熱48小時,過熱和過濾順序不同,冷卻至0-30℃;生長槽密封,得到單晶光纖;晶種直徑、長徑比。對于上述區(qū)別技術(shù)特征,選擇密封加熱、生長槽密封是本領(lǐng)域的常規(guī)選擇。對比文件1公開了所有溶液均升溫至80℃下過熱2h,本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對比文件1的記載能夠選擇合適的過熱溫度和時間。另外,本領(lǐng)域眾所周知,KDP溶液的飽和度隨溫度的降低而增大,本領(lǐng)域技術(shù)人員為了快速制備KDP類單晶光纖,通過有限次常規(guī)試驗能夠調(diào)整合適的生長溫度,其技術(shù)效果可以預期。此外,根據(jù)需要選擇過熱和過濾的順序也為常規(guī)選擇。
因此,在對比文件1的基礎(chǔ)上結(jié)合本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)手段得到權(quán)利要求1請求保護的技術(shù)方案對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的,該方案不具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步,不具備創(chuàng)造性,不符合專利法第22條第3款的規(guī)定。
審通階段是如何答復的?
A:對比文件1在體塊KDP晶體的柱面死區(qū)進行KDP單晶光纖的生長研究,不僅未能實現(xiàn)KDP單晶光纖的下種控制生長,甚至沒有在其設定的實驗條件下觀察到任何光纖生長的跡象,即對比文件1使用下種生長的方法,并未生長得到KDP類單晶光纖。
B:本申請的KDP類單晶光纖的生長條件與對比文件1不同,對比文件1并未涉及本申請KDP類單晶光纖的生長條件:本申請優(yōu)化的生長溫度為25-30℃,晶種為直徑1-50μm,長徑比為20:1-70:1的KDP晶體,磷酸二氫鉀溶液的濃度為20-35%,在上述條件下,本申請實現(xiàn)了KDP類單晶光纖的可控生長,并且得到了高質(zhì)量、光纖直徑以及長度可控的優(yōu)質(zhì)單晶光纖晶體。而對比文件1僅僅是在體塊晶體柱面死區(qū)進行了單晶光纖生長的初步探究,其并未得到單晶光纖,并且生長條件與本申請完全不同。
審查員對于答復的回復
A:審查員堅持認為對比文件1與本申請均為下種法,且對比文件1利用下種生長法能夠得到KDP類單晶光纖。
B:對比文件1公開了KDP四方相單晶光纖在質(zhì)量分數(shù)為23%的磷酸二氫鉀溶液中的飽和點是34.1℃,對比文件1也是通過對下種生長法溶液降溫來使得溶液過飽和,且本申請實施例的實驗參數(shù)與對比文件1所給出的實驗參數(shù)不具有可比性(對比文件1是通過控制過飽和度)。本領(lǐng)域技術(shù)人員在對比文件1所公開的參數(shù)的基礎(chǔ)上,通過有限次實驗能夠生長得到KDP單晶光纖。
思考:為什么審查員不認可審通階段的意見陳述?
A:通過上述論述可知,本申請相對于對比文件1的技術(shù)優(yōu)勢是即“本申請通過控制制備方法制備出了磷酸二氫鉀類單晶光纖,而對比文件1中并未制備出單晶光纖”,然而在論述的過程中,審通答復時只是將此結(jié)果告知了審查員,并未結(jié)合對比文件1深入地分析為什么對比文件1沒有制備出磷酸二氫鉀類單晶光纖。而由于對比文件1的命名是“KDP單晶光纖生長及變相研究”,且存在長徑比達到1000:1的KDP單晶光纖的情況,因此,審查員就有理由相信對比文件1實質(zhì)上也做出了長徑比可達到1000:1的KDP單晶光纖,進而審查員完全有理由不認可審通答復的意見陳述。
B:對比文件1是通過調(diào)控過飽和度研究單晶光纖的生長研究,而本申請是通過調(diào)控KDP溶液的質(zhì)量分數(shù)和生長溫度來生長單晶光纖,二者之間的關(guān)系是什么?審通階段答復并未進行陳述。而本領(lǐng)域公知過飽和度與溶液的質(zhì)量分數(shù)和溫度有關(guān),因此,審查員完全有理由相信本申請是受到對比文件1的啟發(fā),通過調(diào)控KDP溶液的質(zhì)量分數(shù)和生長溫度來調(diào)控單晶光纖的生長,進而得到單晶光纖。
(二)在復審階段應該如何做才能爭取授權(quán)?
下面,筆者將結(jié)合“三步法”來說明在復審階段的答復思路。三步法中要求采用“確定最接近現(xiàn)有技術(shù)”-“確定發(fā)明與最接近現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征和實際解決的技術(shù)問題”-“判斷發(fā)明是否顯而易見”的方式判斷發(fā)明是否具備創(chuàng)造性,并結(jié)合預料不到的技術(shù)效果進行論述。
1、文件修改
將權(quán)利要求1中的磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分數(shù)修改為“23-40%”;將權(quán)利要求1中的“冷卻至0-30℃”修改為“冷卻至0-25℃”,將權(quán)利要求1與3合并作為新的權(quán)利要求1,對其余權(quán)利要求的序號做適應性修改。
2、以對比文件1作為最接近的現(xiàn)有技術(shù),確定本申請修改后的權(quán)利要求1與對比文件1的區(qū)別技術(shù)特征:
(1)本申請限定了將磷酸二氫鉀加入溶劑中,密封加熱溶解得到澄清磷酸二氫鉀溶液,對比文件1中未公開;
(2)過熱和過濾的順序與對比文件1中不同;
(3)本申請限定了磷酸二氫鉀溶液的質(zhì)量分數(shù)為23-40%,將過熱后的溶液在生長槽中冷卻至0-25℃,得到過飽和溶液;
(4)本申請限定了晶種為直徑1-50μm,長徑比為20:1-70:1的KDP晶體。
確定修改后的權(quán)利要求1實際要解決的技術(shù)問題是:提供一種生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法。
答復思路:
(1)結(jié)合對比文件1公開的內(nèi)容說明對比文件1雖然公開了對溶液進行過熱處理,但是其過熱處理是為了研究外界環(huán)境對KDP晶體成核生長的影響(屬于自發(fā)成核法),而本申請是“下種法”,是將晶核放入到溶液后進行單晶的生長,不需要考慮外界環(huán)境對晶核形成的影響。即對比文件1研究溫度對KDP晶體形貌的影響的實驗實質(zhì)是自發(fā)成核的方法,而并非是審查員所認為的屬于下種法。(此段內(nèi)容是針對審查員對于本申請的技術(shù)方案屬于下種法的反駁)
(2)在復審答復時將要解決的技術(shù)問題設置為“提供一種生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法”是突出本申請創(chuàng)造性的關(guān)鍵。這是由于:
其一,對比文件1并未制備出高質(zhì)量、高長徑比的KDP單晶光纖,也沒有給出如何獲得高質(zhì)量、高長徑比的KDP單晶光纖的技術(shù)啟示。
其二:本申請與對比文件1的區(qū)別技術(shù)特征之一是KDP溶液的濃度存在差異,審查員認為“KDP溶液的飽和度隨溫度降低而增加,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠通過有限次實驗根據(jù)對比文件1所公開的柱面生長死區(qū)來調(diào)整合適的生長溫度。”然而,判斷發(fā)明是否具有創(chuàng)造性要看是否具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步,突出的實質(zhì)性特點指的是要求保護的發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)是否顯而易見,而顯著的進步主要應當考慮發(fā)明是否具有有益的技術(shù)效果。因此,在論述的時候結(jié)合對比文件1論述:首先,對比文件1并未制備出高質(zhì)量、大長徑比的KDP單晶光纖;其次,對比文件1給出的技術(shù)啟示是在KDP溶液的過飽和度低于10.03%時會出現(xiàn)單晶光纖(質(zhì)量不高),高于10.03%時會出現(xiàn)三維生長趨勢,不能得到單晶光纖。換句話說,對比文件1不能給出解決本申請技術(shù)問題的技術(shù)啟示。而本申請修改后的權(quán)利要求1中的KDP溶液的過飽和度高達16.63%以上,遠遠高于對比文件1中的10.03%,采用下種生長的方式,通過控制生長參數(shù),在室溫或低于室溫條件下獲得KDP四方相或單斜相單晶光纖,光纖直徑在1-100μm范圍之內(nèi),長徑比≥500:1,擁有極大的長徑比,光纖直徑可控,表面光滑,得到的了高質(zhì)量的KDP單晶光纖,達到了預料不到的技術(shù)效果。
總結(jié):在上述案例中,在復審階段答復的關(guān)鍵在于:其一,設置技術(shù)問題為提供一種生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖的生長方法。這一技術(shù)問題設置的關(guān)鍵在于對比文件1沒有制備出生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖,本領(lǐng)域技術(shù)人員難以預料如何對對比文件1的技術(shù)方案進行改進能夠制備出生長速率快、晶體質(zhì)量好、大長徑比的磷酸二氫鉀類單晶光纖。其二:對比文件1給出的技術(shù)啟示是當KDP溶液的過飽和度高于10.03%時會出現(xiàn)三維生長趨勢,不能得到單晶光纖;而復審答復時通過對權(quán)利要求書的修改和意見陳述證明了在“KDP溶液的過飽和度高達16.63%以上,遠遠高于對比文件1中的10.03%,得到的了高質(zhì)量的KDP單晶光纖”,這達到了預料不到的技術(shù)效果,因此,該發(fā)明是有創(chuàng)造性的。
因此,對于“預料不到的技術(shù)效果”的答復,筆者認為,從“預料不到的技術(shù)效果”與“實際解決的技術(shù)問題和技術(shù)啟示”之間的關(guān)系著手進行論述,以突出技術(shù)方案的創(chuàng)造性。
展艷珊作者專欄
1、淺析化學領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小肮WR”的應對策略
(原標題:淺析化學領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A料不到的技術(shù)效果”的應對策略)
來源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)
作者:展艷珊 北京高沃律師事務所
編輯:IPRdaily辛夷 校對:IPRdaily縱橫君
注:原文鏈接:淺析化學領(lǐng)域?qū)彶橐庖娭小邦A料不到的技術(shù)效果”的應對策略(點擊標題查看原文)
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