2019年全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利排行榜（TOP100）

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發(fā)布：IPRdaily中文網(wǎng)與incoPat創(chuàng)新指數(shù)研究中心聯(lián)合發(fā)布

數(shù)據(jù)提?。篿ncoPat全球科技分析運(yùn)營平臺

近日，知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)業(yè)媒體IPRdaily與incoPat創(chuàng)新指數(shù)研究中心聯(lián)合發(fā)布了“2019年全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利排行榜（TOP100）”。榜單對2019年1月1日至10月31日，在全球公開的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利申請數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)排名，入榜的中國企業(yè)前10名分別是臺積電、京東方、華星光電、紫光集團(tuán)、中芯國際、華虹集團(tuán)、聯(lián)電、華為、中航工業(yè)和德淮半導(dǎo)體。

2019年全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利排行榜（TOP100）

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數(shù)據(jù)提取的參考數(shù)據(jù)：

2019年公開的全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利申請數(shù)量

數(shù)據(jù)提取時(shí)間范圍：

2019年1月1日至2019年10月31日

2019年，全球半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨庫存、智能設(shè)備需求和內(nèi)存芯片價(jià)格等多重挑戰(zhàn)。據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布的最新預(yù)測認(rèn)為，到2020年，包括外資工廠在內(nèi)的對中國大陸銷售將達(dá)到145億美元，預(yù)計(jì)中國大陸將成為半導(dǎo)體制造設(shè)備的最大市場。

在全球貿(mào)易不明朗的前景下，如何抓住市場機(jī)遇？科技創(chuàng)新對于企業(yè)來說，尤其是中國半導(dǎo)體企業(yè)來說尤為重要。隨著國內(nèi)晶圓制造、代工、封測等環(huán)節(jié)逐步完成國產(chǎn)化以及全球貿(mào)易保護(hù)主義抬頭，半導(dǎo)體制造廠商通過科技創(chuàng)新讓企業(yè)自身強(qiáng)大起來，對核心技術(shù)進(jìn)行全面部署，穩(wěn)固自己發(fā)展的節(jié)奏，將有利于在5G及AI等前沿科技領(lǐng)域中占據(jù)更有利的競爭地位。在此，我們對2019年1月1日至10月31日，在全球公開的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利申請數(shù)量進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析，以供參考。

2019年全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利排行榜（TOP100）

對2019年1月1日至10月31日，在全球公開的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利申請數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)排名，入榜的中國企業(yè)前10名分別是臺積電、京東方、華星光電、紫光集團(tuán)、中芯國際、華虹集團(tuán)、聯(lián)電、華為、中航工業(yè)和德淮半導(dǎo)體。在中國大陸地區(qū)，京東方在顯示半導(dǎo)體領(lǐng)域拔得頭籌，紫光集團(tuán)則在電學(xué)半導(dǎo)體領(lǐng)域一馬當(dāng)先。

 
入榜前100名企業(yè)主要來自7個(gè)國家和地區(qū)：日本占比38%，其次中國占比27%、美國占比19%、韓國占比6%，德國和荷蘭均占比4%，瑞士占比2%。其中Samsung以5376件專利位居第一，臺積電以2168件專利、京東方以2147件專利，分別位列第二和第三。

入榜企業(yè)國別/地區(qū)分布  

整理：IPRdaily  數(shù)據(jù)來源：incoPat

來自中國的27家企業(yè)，其中前5家企業(yè)專利量均在600件以上，分別是：臺積電（2168）、京東方（2147）、華星光電（1821）、紫光集團(tuán)（822）和中芯國際（631）。

臺積電專利主要涉及半導(dǎo)體封裝、制造或處理半導(dǎo)體部件的方法或設(shè)備等技術(shù)領(lǐng)域；京東方專利主要涉及顯示裝置、顯示基板、由一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體組件組成的器件等技術(shù)領(lǐng)域；華星光電專利主要涉及薄膜封裝、薄膜晶體管層、柔性基本、柔性沉底等技術(shù)領(lǐng)域；紫光集團(tuán)專利集中分布于由一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體組件組成的器件、制造或處理半導(dǎo)體部件的方法或設(shè)備、半導(dǎo)體零部件等技術(shù)領(lǐng)域；中芯國際專利集中分布于制造或處理半導(dǎo)體部件的方法或設(shè)備、專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件等技術(shù)領(lǐng)域。

入榜中國企業(yè)2019年公開的全球半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利申請量/件    

整理：IPRdaily  數(shù)據(jù)來源：incoPat

 
說明：本排行榜專利數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)2019年1月1日至10月31日，在全球公開的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)明專利申請數(shù)量；本排行榜半導(dǎo)體技術(shù)專利數(shù)據(jù)未包含與發(fā)光和光射器件、光刻技術(shù)相關(guān)的專利。本排行榜出現(xiàn)部分企業(yè)的專利件數(shù)相同，未做并排合并，是依據(jù)檢索結(jié)果依次排列。以上榜單僅為趨勢性參考。如有異議請?zhí)砑游⑿盘?15529376746或者incopat。

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編輯：IPRdaily王穎     校對：IPRdaily縱橫君

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